RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 11, страницы 2493–2500 (Mi qe8642)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Характеристики излучения лазерного экрана из CdS при 300 K

В. И. Козловский, А. С. Насибов, П. В. Резников

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследований зависимости порога, мощности и спектра генерации от толщины кристалла, коэффициентов отражения зеркал резонатора и скорости сканирования электронного пучка. Рассмотрены причины явления катастрофической деградации лазерных экранов при 300 K. Проведены оценки максимальной мощности и оптимального диаметра электронного пучка при работе лазерного экрана из CdS в телевизионном растре при 300 K.

УДК: 621.378.35

PACS: 42.55.Px, 42.60.Kg

Поступила в редакцию: 18.03.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:11, 1522–1526

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024