О механизме генерации в лазерных экранах, выполненных из полупроводниковых соединений AIIBVI

В диапазоне 80–300 K исследованы характеристики лазерных экранов (ЛЭ) электронно-лучевых трубок, выполненных из полупроводниковых соединений A^IIB^VI. На основе спектральных характеристик спонтанного и вынужденного излучения и пороговых характеристик делается заключение, что в ЛЭ в диапазоне 80–300 K вынужденное излучение и генерация происходят в результате излучательной рекомбинации вырожденной электронно-дырочной плазмы.