Аннотация:
Теоретически исследованы характеристики мощных лазеров с активной средой в виде матрицы полупроводниковых диодов (МПД). Селективность резонатора Тальбо, резонатора с асферическим выходным зеркалом и полуконфокального резонатора изучена в зависимости от параметров МПД. Даны оценки чувствительности характеристик лазерного излучения к флуктуациям параметров МПД. Показано, что асферический резонатор имеет практически такую же зависимость селективности от параметров, как и резонатор Тальбо, однако основная мода распространяется без потерь излучения между диодами и за краями МПД. Полуконфокальный резонатор имеет более высокую селективность, чем резонатор Тальбо или асферический резонатор. Когда число диодов в линейной МПД превышает 20, потери второй моды полуконфокального резонатора становятся больше 80 %. КПД лазера с полуконфокальным резонатором без учета КПД диодов достигает 80 — 90 %.