П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, С. М. Сапожников, “Исследование долговечности непрерывных инжекционных лазеров на основе GaAlAs/GaAs”, Квантовая электроника, 14:4 (1987), 892

Применение лазеров, другие вопросы квантовой электроники

Исследование долговечности непрерывных инжекционных лазеров на основе GaAlAs/GaAs

П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, С. М. Сапожников

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Проведены испытания лабораторных образцов непрерывных лазеров на основе GaAlAs/GaAs на долговечность при комнатной и повешенных температурах. Путем перерасчета к комнатной температуре получено распределение отказов логарифмически нормального типа со среднем значением технического ресурса 3,1·10⁵ ч.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Pk, 42.87.-d

Поступила в редакцию: 03.07.1986