RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 4, страницы 797–802 (Mi qe8912)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Влияние ширины активной области инжекционных полупроводниковых лазеров на основе GaAs на одночастотный режим генерации

В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. И. Петров, А. С. Семенов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований излучательных характеристик одноканальных инжекционных полупроводниковых лазеров, работающих в непрерывном режиме (77 K) при различных ширинах активной области (1,5–11 мкм). Показано, что, применяя двухстороннее горизонтальное ограничение активной области слоями твердого раствора AlxGa1–xAs, легированных Ge, удается создать структуру с хорошими волноводными свойствами и малыми токами утечки. Изучены пороговые, спектральные, ватт-амперные характеристики излучения и распределения поля в ближней и дальней зонах. Исследование большой серии одноканальных лазеров показало, что они работают в режиме одной продольной моды в широком диапазоне изменения тока инжекции. Максимальная мощность излучения в одночастотном режиме достигала более 100 мВт (в обе стороны). Установлено, что срыв одночастотной генерации и переход к многомодовому режиму наступает при плотности мощности излучения в канале ~(1–2)·105 Вт/см2.

УДК: 621.382.3

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 17.10.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:4, 472–475


© МИАН, 2024