RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 4, страницы 845–848 (Mi qe8920)

Краткие сообщения

Исследование столкновений в SF6 методами лазерной спектроскопии

Л. С. Василенко, М. Н. Скворцов, Н. Н. Рубцова, В. П. Чеботаев

Институт теплофизики СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Исследованы резонансы насыщения в поглощении молекулы SF6, возникающие при взаимодействии насыщающей сильной и пробной слабой волн излучения двух CO2 -лазеров, распространяющихся в поглощающей ячейке либо в одном направлении, либо навстречу друг другу. Для области давлений SF6 20–350 мкм рт. ст. ширины резонансов линейно растут с давлением, и в пределах точности эксперимента ширина резонанса для случая встречных волн равна удвоенной ширине резонанса в однонаправленных волнах, а форма резонансов при слабом насыщении описывается в обоих случаях лоренцианом. Интерпретация этих результатов в модели трех релаксационных констант для двухуровневой системы при большом вырождении уровней позволяет сделать вывод, что верхний и нижний колебательно-вращательные уровни SF6 имеют одинаковую вероятность тушения при столкновениях, а столкновения, сбивающие фазу, практически отсутствуют.

УДК: 621.375.82

PACS: 34.50.Ez, 42.60.Kg

Поступила в редакцию: 20.09.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:4, 501–503


© МИАН, 2024