RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 12, страницы 2693–2695 (Mi qe8944)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Модуляция добротности резонатора при использовании фазового перехода «металл – полупроводник»

А. А. Бугаев, Б. П. Захарченя, Ф. А. Чудновский

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Аннотация: Приведены результаты экспериментов по модуляции добротности резонатора, которая осуществлялась зеркалом с нелинейным коэффициентом отражения. Зеркало представляло собой интерференционную отражательную структуру, содержащую окисную пленку ванадия с фазовым переходом металл – полупроводник. Нелинейность коэффициента отражения обусловлена инициированием фазового перехода под действием лазерного излучения. Приведены параметры моноимпульса излучения, полученного при помощи пассивного светозатвора на основе окисной пленки ванадия.

УДК: 621.378

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Da

Поступила в редакцию: 02.04.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:12, 1638–1639

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024