МДП-элемент памяти с оптическим управлением

Экспериментально показана возможность использования структуры типа металл – туннельно-тонкий диэлектрик – полупроводник в качестве элемента памяти с оптической записью и оптическим считыванием информации. Плотность энергии светового импульса, необходимой для переключения, составляет (0,5–1,5)·10^–7 Дж/мм². Чувствительность по фототоку в высокоомном состоянии составляет 0,2 А/Вт, в низкоомном состоянии – 0,02 А/Вт (для света с длиной волны λ = 0,63 мкм).