RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 7, страницы 611–614 (Mi qe8954)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Управление параметрами лазерного излучения

Пассивные затворы для модуляции добротности лазера на эрбиевом стекле с диодной накачкой

В. Э. Кисельa, В. Г. Щербицкийa, Н. В. Кулешовa, Л. И. Постноваb, В. И. Левченкоb, Б. И. Галаганc, Б. И. Денкерc, С. Е. Сверчковc

a Международный лазерный центр БНТУ, г. Минск
b Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, г. Минск
c Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Проведены исследования лазера на эрбиевом стекле (λ = 1.54 мкм) с диодной накачкой, работающего в режиме пассивной модуляции добротности, при использовании в качестве насыщающихся поглотителей кристаллов селенида цинка (ZnSe), легированных ионами Co2+ и Cr2+, и кристаллов магний-алюминиевой шпинели (MgAl2O4), легированных ионами Co2+. Показано, что в зависимости от типа насыщающегося поглотителя, мощности накачки и конфигурации резонатора энергия лазерных импульсов может варьироваться от 0.2 до 13 мкДж, длительность – от 16 до 980 нс, а частота следования – от 0.1 до 30 кГц.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Gd, 42.70.Mp

Поступила в редакцию: 31.03.2005
Исправленный вариант: 17.05.2005


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2005, 35:7, 611–614

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024