RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 2, страницы 433–436 (Mi qe8976)

Краткие сообщения

ВКР на поляритонах в поперечно-ограниченном слое нелинейного кристалла

А. А. Бабин, Ю. А. Степанянц, В. М. Фортус, Г. И. Фрейдман, A. H. Щелоков

Научно-исследовательский радиофизический институт, Горький

Аннотация: Показана возможность повышения коэффициента усиления стоксового излучения при ВКР на поляритонах за счет их отражения от боковых поверхностей в слое нелинейного кристалла, толщина которого близка к диаметру пучка накачки и существенно превосходит поперечное смещение стоксовых волн на его длине. Рассмотрены энергетические характеристики стационарного режима (для случаев сильного и слабого затухания поляритонов) в системе с обратной связью по одной из возбуждающихся в слое стоксовых волн. Показано, в частности, что при достаточно высокой добротности резонатора основная часть энергии излучения накачки преобразуется в излучение резонансной стоксовой волны.

УДК: 621.378.3.525:535.18

PACS: 42.65.Cq

Поступила в редакцию: 13.04.1976


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, 7:2, 239–241


© МИАН, 2024