К теории резонансного дефектообразующего захвата электронов в лазерных кристаллах

Рассмотрены некоторые вопросы дефектообразования в лазерных полупроводниковых кристаллах при захвате неравновесных носителей на резонансный уровень глубокого центра. Вычислены ширины резонансного уровня Γ_n по отношению к автоионизации электрона для случаев акцепторного и донорного центров. На ЭВМ проведено численное исследование зависимости Γ_n от величины энергии захватываемого электрона и от различных параметров центра. Дано сравнение с экспериментом для случая донорного центра. Рассмотрены также некоторые вопросы кинетики дефектообразования. Найдены функции, описывающие рост порога генерации и срок службы лазера, и проведено сравнение с некоторыми экспериментальными данными.