RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 5, страницы 1082–1083 (Mi qe9063)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Краткие сообщения

Обратимое фотообесцвечивание наведенного поглощения в волоконных световодах

Е. М. Диановab, Л. С. Корниенкоab, Е. П. Никитинab, А. О. Рыбалтовскийab, П. В. Черновab

a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
b НИИ ядерной физики МГУ им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Обнаружен и исследован эффект обратимого фотообесцвечивания наведенного поглощения в диапазоне 0,5–1,3 мкм γ-облученных стеклянных волоконных световодов под действием излучения He–Ne-лазера (λ = 0,63 мкм). Предполагается, что эффект связан с полосой наведенного поглощения, имеющей максимум в районе ~0,9 мкм.

УДК: 535.8.666.189.2.666.11:621.039.533

PACS: 42.80.Mv

Поступила в редакцию: 13.02.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:5, 636–637


© МИАН, 2024