RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 10, страницы 2001–2011 (Mi qe9139)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Твердотельные и полупроводниковые лазеры

Условие оптимальной накачки лазерных диодов с широким контактом

В. Накваски

Институт физики Лодзинского технического университета, Польша

Аннотация: Сформулирована простая теоретическая модель лазерного диода с двойной гетероструктурой и широким контактом, которая позволила рассмотреть поведение лазера при накачках вблизи порога и далеко за ним. Найдено точное выражение, определяющее условие оптимальной накачки лазеров рассматриваемого типа. Полученная с помощью этого условия максимальная выходная мощность излучения стандартного лазерного диода при комнатной внешней температуре примерно на 40% выше мощности, получаемой при ранее используемом условии.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.70.Nq

Поступила в редакцию: 29.12.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:10, 1288–1294

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025