RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 7, страницы 1459–1463 (Mi qe9196)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Окисная пленка ванадия как регистрирующая среда для голографии

А. А. Бугаев, Б. П. Захарченя, Ф. А. Чудновский

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Аннотация: Приведены результаты исследований оптических характеристик окисных пленок ванадия, которые могут быть использованы для многократной записи оптической информации. Определены зависимости величины дифракционной эффективности от степени окисления и толщины пленки ванадия. Рассмотрена природа голограмм на окисных пленках ванадия и показана возможность оптимизации характеристик окисных пленок. Получена величина дифракционной эффективности 1,4% для λ = 0,63 мкм. Показан пример использования окисных пленок ванадия для голографической интерферометрии инфракрасного диапазона.

УДК: 772.773

PACS: 42.40.Ht, 78.65.Jd

Поступила в редакцию: 27.10.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:7, 855–857


© МИАН, 2024