RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 6, страницы 1179–1181 (Mi qe9323)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Воздействие лазерного излучения на вещество

Изменение отражательной способности и фотоакустический эффект в полупроводниках при действии наносекундных лазерных импульсов

И. А. Веселовский, Б. М. Жиряков, А. А. Самохин

Московский инженерно-физический институт

Аннотация: Обнаружено качественное различие в поведении фотоакустических сигналов (ФАС) при плавлении германия и кремния лазерными импульсами длительностью 20 нс с длиной волны 1,06 мкм. После возрастания отражательной способности фотоакустический импульс давления в германии обнаруживает резко выраженный провал, тогда как в кремнии такой трансформации ФАС не наблюдается.

УДК: 535.211:536.4

PACS: 61.80.Ba, 61.82.Fk, 78.20.Hp, 78.20.Ci

Поступила в редакцию: 30.12.1986


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:6, 750–751

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024