RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 8, страницы 1718–1729 (Mi qe9399)

Исследование высокочастотных свойств сверхпроводящих точечных контактов в дальней ИК области спектра

Н. Г. Басов, Э. М. Беленов, С. И. Веденеев, М. А. Губин, Г. П. Мотулевич, В. В. Никитин, В. А. Степанов, А. В. Усков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Теоретически и экспериментально исследованы высокочастотные свойства сверхпроводящих точечных контактов (СТК) Nb–Nb, работающих в неравновесном режиме с большим критическим током Ic и малым сопротивлением нормального состояния RN, для изучения возможности применения их в задачах метрологии в ближней ИК области спектра. Показано, что при облучении таких СТК внешним излучением на их вольт-амперных характеристиках легко наблюдаются ступеньки тока, соответствующие гармоникам частоты внешнего излучения, при напряжениях, превышающих предельное для ниобиевых СТК. В этом случае появляется емкостное ограничение частоты. На мостиках, размер которых не превышает 50 нм, наблюдалось умножение частоты вплоть до 8·1012 Гц (~38 мкм). Изучены зависимости ступенчатой структуры вольт-амперных характеристик СТК от мощности и частоты внешнего излучения, а также зависимости амплитуды и ширины линии сигнала промежуточной частоты от напряжения смещения и мощности внешних сигналов при облучении СТК излучениями двух источников. Теоретический анализ показал, что при умножении и смешении частот СТК, работающими в неравновесном режиме, необходимо учитывать воздействие на СТК как собственного излучения, так и его гармоник.

УДК: 537.312.62

PACS: 74.50.+r, 06.30.Ft, 85.20.Sn, 85.25.+k

Поступила в редакцию: 01.12.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:8, 1012–1018


© МИАН, 2024