RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 11, страницы 2225–2228 (Mi qe9429)

Активные среды, методы накачки и управления параметрами излучения

Влияние поля на энергетические характеристики лазеров на 1-системе молекулы азота

В. А. Долгих, И. Г. Рудой, А. Ю. Самарин, А. М. Сорока

Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам АН СССР Троицк, Моск. обл.

Аннотация: Показано, что увеличение энергии генерации N2+ (BX)-лазера (λ = 391 и 428 нм) при ЭИ возбуждении обусловлено подавлением конкурирующей с заселением верхнего лазерного уровня рекомбинации ионов He2+. Обсуждаются предельные возможности электроразрядной накачки лазера.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.By, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 30.01.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:11, 1431–1433

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024