Аннотация:
Перечислены нелинейно-оптические лазерные устройства, использующие кристалл ZnGeP2 со структурой халькопирита. Приведены коэффициенты для формулы Селмейера для показателей преломления кристалла и перестроечные кривые параметрического генератора света на нем с накачкой двумя линиями эрбиевого лазера.