RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 11, страницы 2343–2348 (Mi qe9597)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Оптоэлектроника. Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Полутоновая оптическая запись на пленках a-Si

В. З. Гочияев, В. П. Корольков, А. П. Соколов, В. П. Чернухин

Институт автоматики и электрометрии СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Показано, что оптическая запись, основанная на просветлении пленок аморфного кремния при локальном нагреве сфокусированным лазерным пучком, является перспективной для изготовления полутоновых фотошаблонов дифракционных оптических элементов. Исследованы происходящие под действием лазерного излучения изменения оптических свойств и структуры пленок a-Si. Получено пространственное разрешение записи до 2000 лин./мм. Обсужден механизм, объясняющий экспериментальные результаты.

УДК: 539.216:535.211

PACS: 42.79.Vb, 42.70.Ln, 42.70.Nq, 42.62.Cf, 78.66.Jg, 42.86.+b

Поступила в редакцию: 09.08.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:11, 1506–1509

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024