RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 11, страницы 2436–2439 (Mi qe9742)

Краткие сообщения

Исследование гетеролазеров и светодиодов на основе InP/lnGaPAs, излучающих в диапазоне 1,0–1,2 мкм

Р. Алтынбаев, И. Исмаилов, Г. Ли, И. М. Цидулко, Н. Шохуджаев

Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН Тадж. ССР, Душанбе

Аннотация: В работе приводятся сравнительные характеристики гетеролазеров и светодиодов, выращенных на подложках n- и p-типов в системе четырехкомпонентного твердого раствора IпGаРAs. Изучены спектральные, временные, мощностные и излучательные характеристики полученных образцов. Температурная зависимость порогового тока гетеролазера (1,07 мкм, 300 K) сравнивается с аналогичной зависимостью в гомолазере на основе InР. В системе lпP/lпGaPAs получена генерация излучения на длине волны 1,19 мкм при комнатной температуре.

УДК: 621.315.595

PACS: 42.55.Px, 85.60.Jb

Поступила в редакцию: 18.03.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:11, 1435–1437


© МИАН, 2024