Д. З. Гарбузов, В. В. Дедыш, А. В. Кочергин, Н. В. Кравцов, О. Е. Наний, В. Е. Надточеев, Н. А. Стругов, В. В. Фирсов, А. Н. Шелаев, “Гранатовый чип-лазер с накачкой InGaAsP/GaAs-лазером”, Квантовая электроника, 16:12 (1989), 2423

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Лазеры и усилители

Гранатовый чип-лазер с накачкой InGaAsP/GaAs-лазером

Д. З. Гарбузов^ab, В. В. Дедыш^ab, А. В. Кочергин^ab, Н. В. Кравцов^ab, О. Е. Наний^ab, В. Е. Надточеев^ab, Н. А. Стругов^ab, В. В. Фирсов^ab, А. Н. Шелаев^ab

^a Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова
^b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Аннотация: Созданы и экспериментально исследованы миниатюрные моноблочные твердотельные кольцевые лазеры на YAG:Nd³⁺ (чип-лазеры) с плоским или неплоским кольцевым резонатором и высокоэффективной накачкой квантоворазмерным полупроводниковым InGaAsP/CaAs-лазером. Установлены условия получения в чип-лазерах высокостабильной одно- и двунаправленной одночастотной генерации. Исследованы зависимости характеристик излучения от параметров кольцевого резонатора, уровня и геометрии накачки, напряженности и ориентации внешнего магнитного поля, температурных изменений. Установлена новая возможность регистрации невзаимных оптических эффектов по расщеплению спектра частот противофазных колебаний интенсивностей встречных волн в автомодуляционных режимах.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Da, 42.60.Fc, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 11.07.1989