RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 7, страницы 596–600 (Mi qe991)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Лазеры

Роль отрицательных ионов в плазме импульсных лазеров на парах металлов и их соединений

К. И. Земсков, А. А. Исаев, Г. Г. Петраш

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Проанализированы имеющиеся данные по характеристикам разряда и генерации, а также по кинетике заселения уровней импульсных лазеров на парах металлов и их галогенидов с добавками водорода и HВr. Рассмотрено влияние диссоциативного прилипания, в частности к молекуле HВr, на кинетику образования инверсии в этих лазерах. Показано, что учет данного процесса позволяет объяснить все наблюдавшиеся особенности рассматриваемых лазеров, включая увеличение эффективности и мощности CuBr-лазера c добавкой водорода и гибридного лазера. Добавка молекул с большим сечением диссоциативного прилипания и с соответствующим расположением максимума сечения открывает новые возможности улучшения характеристик импульсных лазеров на r – m-переходах.

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh, 52.80.Hc

Поступила в редакцию: 18.12.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1997, 27:7, 579–583

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024