Аннотация:
Статья содержит обзор литературы по разложению позитивного и негативного фоторезистов под действием актиничного света и электронной бомбардировки, рассмотрено взаимодействие электронного потока с другими органическими материалами, металлами и неорганическими диэлектриками. Рассмотрен механизм внутреннего облучения резиста, сводящийся к тому, что электроны, проходя через резист, возбуждают молекулы резиста с последующей флуоресценцией и фосфоресценцией. Рассмотрено влияние металлической и диэлектрической подложки на получение линий требуемой ширины. Отмечается, что процесс сшивания негативного фоторезиста под действием потока электронов происходит по механизму свободно-радикальной полимеризации. Библиография – 65 наименований.