RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи химии // Архив

Усп. хим., 2016, том 85, выпуск 6, страницы 610–618 (Mi rcr4112)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Перенос заряда и свойства интерфейсов в неорганических супраструктурах и композитах

И. С. Флягинаa, А. А. Петровb, В. С. Первовb

a Институт физической химии и электрохимии им. А. Н. Фрумкина РАН, г. Москва
b Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва

Аннотация: Процессы, связанные с переносом заряда и реконструкцией электронных состояний в межфазных областях (интерфейсах) в неорганических супраструктурах и композитах, изучены пока неполно. В обзоре проанализированы и обобщены результаты теоретических и экспериментальных исследований структурных и электронных эффектов в интерфейсах супраструктур и композитов, состоящих из оксидов или халькогенидов металлов. Показано, что перенос заряда и, как следствие, изменение свойств интерфейсов по сравнению со свойствами субструктур определяется способами получения композитов и химической природой структур, несоразмерностью их структурных параметров, валентными состояниями входящих в них металлов. Эти изменения максимальны у наногетероструктур, и их глубина связана с электронной проводимостью субструктур. Макроскопические свойства композитных материалов зависят от количества интерфейсов в их объеме.
Библиография — 66 ссылок.

Поступила в редакцию: 09.06.2015

DOI: 10.1070/RCR4578


 Англоязычная версия: Russian Chemical Reviews, 2016, 85:6, 610–618

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024