RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Сибирский журнал индустриальной математики // Архив

Сиб. журн. индустр. матем., 2023, том 26, номер 1, страницы 191–200 (Mi sjim1224)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Моделирование динамики всплытия одиночного пузыря методом решёточных уравнений Больцмана

А. В. Федосеев, М. В. Сальников, А. Е. Остапченко

Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, просп. Акад. Лаврентьева, 1, г. Новосибирск 630090, Россия

Аннотация: Для исследования процесса кипения на поверхности твёрдого нагревателя представлена гибридная модель на основе метода решёточных уравнений Больцмана и уравнения теплопроводности. Исследовался процесс формирования и всплытия одиночного пузыря при кипении над одиночной лиофобной зоной, размещённой на гладкой лиофильной поверхности. Получены зависимости частоты отрыва и отрывного диаметра пузыря от ширины лиофобной зоны и теплового перегрева стенки. Показано, что отрывной диаметр пузыря растёт с размером ширины лиофобной зоны, а частота отрыва пузыря растёт с температурным перегревом. На основании полученных данных определён оптимальный размер лиофобной зоны на лиофильной поверхности с точки зрения интенсификации теплообмена.

Ключевые слова: интенсификация теплообмена при кипении, поверхности с контрастным смачиванием, метод решёточных уравнений Больцмана.

УДК: 536.248.2

Статья поступила: 12.08.2022
Окончательный вариант: 12.08.2022

DOI: 10.33048/SIBJIM.2023.26.117


 Англоязычная версия: Journal of Applied and Industrial Mathematics, 2023, 17:1, 64–71


© МИАН, 2024