В. П. Голубятников, Б. П. Кашников, Г. И. Смирнов, “Математическое моделирование гетерогенного переноса заряда в твердотельных наноструктурах под действием резонансного излучения”, Сиб. журн. индустр. матем., 2003, том 6, номер 2,страницы 31

Математическое моделирование гетерогенного переноса заряда в твердотельных наноструктурах под действием резонансного излучения

В. П. Голубятников^a, Б. П. Кашников^b, Г. И. Смирнов

^a Институт математики им. С. Л. Соболева СО РАН
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН

Аннотация: Построена математическая модель безактивационной перезарядки между атомами в поликристаллических пленках или неоднородных наноструктурах типа полупроводник–диэлектрик, взаимодействующими с резонансным излучением и металлической поверхностью контакта. Определена вероятность процесса резонансной приконтактной фотоионизации в неоднородных твердотельных наноструктурах, что позволяет использовать данный процесс в нанотехнологиях для измерений и передачи информации.

УДК: 535.338

Статья поступила: 28.03.2003