RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Solid-State Electronics // Архив

Solid-State Electronics, 2012, том 70, страницы 106–113 (Mi sse1)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Quantum simulation of an ultrathin body field-effect transistor with channel imperfections

V. Vyurkovab, I. Semenikhinab, S. Filippovab, A. Orlikovskyab

a Institute of Physics and Technology of the Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia
b Moscow Institute of Physics and Technology, Moscow Region, Russia

Язык публикации: английский

DOI: 10.1016/j.sse.2011.11.021



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024