RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Системы и средства информатики // Архив

Системы и средства информ., 2020, том 30, выпуск 2, страницы 4–10 (Mi ssi696)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Устойчивость самосинхронных комбинационных схем к кратковременным логическим сбоям

Ю. А. Степченков, Ю. Г. Дьяченко, Ю. В. Рождественский, Н. В. Морозов, Д. Ю. Степченков, Д. Ю. Дьяченко

Институт проблем информатики Федерального исследовательского центра «Информатика и управление» Российской академии наук

Аннотация: Рассматривается вопрос устойчивости самосинхронных (СС) комбинационных схем, изготовленных по технологии комплементарный металл – диэлектрик – полупроводник (КМДП), к кратковременным логическим сбоям (ЛС), вызываемым внешними причинами или внутренними помехами, не приводящими к разрушению полупроводниковых структур. Обсуждаются последствия воздействия физических причин, приводящих к ЛС в микросхеме, изготовленной по КМДП-технологии с проектными нормами 65 нм и ниже. Введена классификация ЛС в СС комбинационных КМДП-схемах в зависимости от времени их появления и типа сбоя. Самосинхронные схемы имеют более высокую степень устойчивости к кратковременным ЛС, чем их синхронные аналоги, благодаря двухфазной дисциплине работы, запрос-ответному взаимодействию и парафазному кодированию информационных сигналов. Предложены схемотехнические и топологические методы, обеспечивающие снижение чувствительности СС комбинационных КМДП-схем к логическим сбоям за счет гарантированного отсутствия биполярного влияния источника ЛС на элементы, формирующие парафазные сигналы, и на их трассы в топологии схемы.

Ключевые слова: самосинхронная схема, логический сбой, сбоеустойчивость, КМДП, рабочая фаза, спейсер, топология.

Поступила в редакцию: 17.02.2020

DOI: 10.14357/08696527200201



© МИАН, 2024