Аннотация:
Проведено теоретическое исследование кинетики фотопроводимости резистора с глубокими примесными центрами. Использовались параметры характерные для полупроводников $A^{2}B^{6}$ и $A^{3}B^{5}$. Изучено влияние электрического поля и диффузии электронов и дырок к поверхностям на фоточувствительность резистора.
Ключевые слова:кинетика фотопроводимости, рекомбинационные центры, времена жизни электронов и дырок, $A^{2}B^{6}$ и $A^{3}B^{5}$, поверхностная рекомбинация.