RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал Средневолжского математического общества // Архив

Журнал СВМО, 2013, том 15, номер 1, страницы 112–120 (Mi svmo372)

В Средневолжском математическом обществе

Кинетика фотопроводимости при межзонном возбуждении с учетом поверхностной рекомбинации

С. М. Мурюмин, А. Е. Никишина, Е. В. Никишин

Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск

Аннотация: Проведено теоретическое исследование кинетики фотопроводимости резистора с глубокими примесными центрами. Использовались параметры характерные для полупроводников $A^{2}B^{6}$ и $A^{3}B^{5}$. Изучено влияние электрического поля и диффузии электронов и дырок к поверхностям на фоточувствительность резистора.

Ключевые слова: кинетика фотопроводимости, рекомбинационные центры, времена жизни электронов и дырок, $A^{2}B^{6}$ и $A^{3}B^{5}$, поверхностная рекомбинация.

УДК: 517.9

Поступила в редакцию: 07.07.2013



© МИАН, 2024