Аннотация:
В статье проведены теоретические исследования среднего значения неравновесной концентрации свободных носителей в полупроводнике при периодическом оптическом возбуждении. Расчеты сделаны для кремния, легированного золотом. Среднее значение концентрации свободных носителей зависит от частоты и формы импульсов возбуждения.