Численное моделирование вероятности включения микроплазмы c участием глубоких центров в $p$–$n$–переходе

Моделируется влияние глубоких центров на статистическую задержку пробоя микроплазмы в $p$–$n$–переходе. Проведен численный расчет вероятности включения микроплазмы в фосфидгаллиевых $p$–$n$–переходах в случае эмиссии носителей заряда через простой двухзарядный генерационно-рекомбинационный центр и с многозарядной ловушки. Показано, что изменение зарядового состояния глубоких центров частичным снижением обратного напряжения на $p$–$n$–переходе может приводить к особенностям распределения статистической задержки пробоя микроплазмы по длительности.