Аннотация:
Узкозонные полупроводники, которые применяются для создания квантовых сетей, характеризуются малыми эффективными массами электронов на уровне Ферми и, следовательно, большой подвижностью электронов в решетке. В предлагаемой работе построена явно решаемая модель, проясняющая один из возможных механизмов возникновения малых эффективных масс. Другая построенная в работе математическая модель описывает возможный механизм управления переменным квантовым током через одномерную решетку с помощью бегущей волны.