Аннотация:
Исследована система алгебраических уравнений для функций Грина, через которые выражается тензор диэлектрической проницаемости кристалла в области частот двойных триплетных возбуждений. Показано, что в зависимости от соотношения между величиной взаимодействия триплетно возбужденных молекул друг с другом и величиной резонансной
передачи триплетного возбуждения по кристаллу в поглощении света основную роль играют либо связанные (“одночастичные”) состояния двух триплетных возбуждений, либо зонные состояния. Для одномерного кристалла получены явные выражения для энергии связанных состояний и формулы, описывающие интенсивность зонного поглощения и поглощения связанными состояниями.
Рассмотрены эффект давыдовского расщепления в области частот возбуждения связанных состояний двух триплетных экситонов и эффект чувствительности ширины зоны двойных возбуждений к поляризации.