К теории контактов $SIS$ с упорядоченными магнитными примесями в области барьера для температур, близких к критической

Предложена микроскопическая теория $SIS$-контакта, содержащего упорядоченные магнитные примеси в области потенциального барьера, для температур, близких к критической. Показано, что для обменных полей $I\geqslant I_{\text{кр}}=V_N+O\biggl(\dfrac{v_{{\mathrm F}^2}}{V_N}\biggr)\biggl(\dfrac{v_{\mathrm F}}{V_N}\ll 1\biggr)$ слабая связь между сверхпроводниками отсутствует из-за полного разрушения туннелирующих через барьер куперовских пар. Изучено поведение параметра упорядочения вблизи барьера, и установлены граничные условия для уравнения Гинзбурга–Ландау. В области $0\leqslant I\leqslant I_{\text{кр}}$ получена общая формула для тока Джозефсона. Отмечено, что при $I\lesssim I_{\text{кр}}$ критический ток зависит от температуры посредством множителя $(T_{\mathrm c}-T)^2$.