Аннотация:
Исследованы особенности нагрева системы «металлическая пленка – полупроводник» излучением лазера. Показано, что при работе лазера в режиме гигантского импульса при заданной интенсивности излучения температурным полем в полупроводнике можно эффективно управлять толщиной поглощающей металлической пленки. Получено соотношение, позволяющее оценивать пороговую интенсивность излучения в режиме свободной генерации.