Образование поглощающего слоя и сверхбыстрый переход арсенида галлия в металлическое состояние при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов

Экспериментально показано, что при воздействии на $\rm GaAs$ фемтосекундными лазерными импульсами с интенсивностью, близкой по величине к порогу плавления, в поверхностном слое глубиной $\sim30$ нм происходит образование электронно-дырочной плазмы с последующим переходом в металлическое состояние. Данное явление наблюдается при воздействии лазерных импульсов с энергией кванта излучения как меньше, так и больше ширины запрещенной зоны. Образование электронно-дырочной плазмы и поглощающего слоя с металлическими свойствами обусловлено в основном механизмом лавинной ионизации электронным ударом.