RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Теплофизика высоких температур // Архив

ТВТ, 2024, том 62, выпуск 6, страницы 906–912 (Mi tvt12054)

Новая энергетика и современные технологии

Исследование релаксации энергии в нанопленке никеля после сверхбыстрого нагрева электронной подсистемы фемтосекундным лазерным импульсом

С. А. Ромашевскийa, С. И. Ашитковa, В. А. Хохловb, Н. А. Иногамовabc

a Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва
b Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау Российской академии наук
c Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н. Л. Духова, г. Москва

Аннотация: Исследована динамика релаксации энергии в пленке никеля толщиной $73$ нм, находящейся в сильнонеравновесном двухтемпературном состоянии, индуцированном воздействием фемтосекундного лазерного импульса. Выполнены экспериментальные измерения динамики изменения коэффициента отражения $\Delta R/R_0$ с фронтальной стороны нанопленки в оптической схеме «возбуждение–зондирование» с использованием методики фазочувствительного детектирования на длине волны $793$ нм во временном диапазоне до $300$ пс с временным разрешением $60$ фс при максимально возможном неразрушающем поглощенном флюенсе $F_{\text{abs}} = 10.87$ мДж/см$^2$ нагревающего импульса с длиной волны $396$ нм и длительностью $150$ фс. Сигнал $\Delta R/R_0$ содержит информацию как о динамике тепловых процессов, так и о распространении пикосекундных акустических импульсов в нанопленке и в подложке. Продольная скорость звука в нанопленке составила $5.73 \pm 0.16$ нм/пс, сдвиг частоты при рассеянии Бриллюэна–Мандельштама в подложке – около $21.15$ ГГц. Двухтемпературный гидродинамический расчет дает значения максимальной температуры электронов $T_e = 2.9$ кК и решетки $T_i = 1.1$ кК. Максимальные значения давления акустического импульса в нанопленке и в подложке составляют $6.8$ и $1.2$ ГПа соответственно. В литературе практически отсутствуют данные об исследованиях пикосекундной динамики тепловых и акустических процессов в нанопленках металлов при высоких начальных температурах электронной подсистемы, возбужденной в результате воздействия фемтосекундного лазерного импульса с плотностью потока энергии вблизи порога модификации (разрушения) материала.

УДК: 536.212.2, 536.2.083, 532.591, 539.893, 66-947.5

Поступила в редакцию: 10.06.2024
Исправленный вариант: 11.09.2024
Принята в печать: 08.10.2024

DOI: 10.31857/S0040364424060126



© МИАН, 2025