Аннотация:
Представлены новые экспериментальные данные по тепловому расширению расплавов германия и кремния и изменениям их плотности при кристаллизации, полученные методом просвечивания образцов узким пучком гамма-излучения. Показано, что политерма плотности жидкого германия является нелинейной. Обсуждены причины этого явления. Проведены оценки электронных составляющих скачков плотности $\mathrm{Ge}$ и $\mathrm{Si}$ при фазовом переходе кристалл–расплав. С использованием полученных результатов и наиболее надежных литературных данных по плотности кристаллических полупроводников построены согласованные таблицы термических свойств германия и кремния в твердом и жидком состояниях в широком интервале температур: $0$–$1900$ K ($\mathrm{Si}$), $0$–$2275$ K ($\mathrm{Ge}$).