Моделирование тепломассопереноса при активационном отжиге арсенидталлие- вых полупроводниковых пластин

На основе концепции сосредоточенной емкости разработана математическая модель процессов тепломассопереноса в системе "пластина – покрытие" при формировании областей $n$-типа проводимости на полуизолирующем арсениде галлия. Исследована динамика полей температуры и концентрации имплантированной примеси в процессе активационного отжига арсенид-галлиевых пластин при движении пластины с постоянной скоростью относительно источника излучения и в случае ее фиксированного положения.