Аннотация:
Экспериментально исследовано азимутальное распределение тока и концентрации электронов в пинч-разряде при несплошном обратном токопроводе. Под действием азимутально-неоднородного магнитного поля
в процессе сжатия плазменной оболочки образуются ярко светящиеся каналы, в которых к моменту кумуляции сила тока и электронная концентрация больше, чем на остальных участках токового слоя. Подтверждена модель гофрированного токового слоя с каналами.