А. В. Галеева, А. С. Казаков, Д. Р. Хохлов, “Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты”, УФН, 2024, том 194, номер 10,страницы 1046

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты

А. В. Галеева^a, А. С. Казаков^a, Д. Р. Хохлов^ab

^a Физический факультет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Представлен обзор возможностей, которые предоставляет исследование фотоэлектрических эффектов в 3D топологических изоляторах и ряде других топологически нетривиальных материалов при их возбуждении терагерцовым излучением. Показано, что в ряде случаев информация об электронных состояниях, полученная с помощью таких экспериментов, является уникальной.

PACS: 72.40.+w, 78.20.-e, 78.56.-a

Поступила: 16 октября 2023 г.
Доработана: 20 ноября 2023 г.
Одобрена в печать: 2 декабря 2023 г.

DOI: 10.3367/UFNr.2023.12.039610