RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 2000, том 170, номер 3, страницы 247–262 (Mi ufn1723)

Эта публикация цитируется в 198 статьях

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Двумерные сегнетоэлектрики

Л. М. Блиновa, В. М. Фридкинa, С. П. Палтоa, А. В. Бунеb, П. А. Даубенb, С. Дюшармb

a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
b Department of Physics and Astronomy, University of Nebraska-Linkoln

Аннотация: Изучение размерного эффекта в сегнетоэлектрических кристаллах и пленках было ограничено экспериментальными условиями, так как наименьшие кристаллы имели размер ≈200 Å, a самые тонкие пленки — толщину ≈200 Å. Техника Ленгмюра–Блоджетт позволила получить сегнетоэлектрические пленки высокого качества из поливинилиден фторида и его сополимеров толщиной 10 Å, с помощью которых впервые удалось изучить размерный эффект на атомарном уровне. Пленки Ленгмюра–Блоджетт оказались двумерными сегнетоэлектриками и не обнаружили так называемой критической толщины. Пленки толщиной в два монослоя (1 нм) обнаруживают сегнетоэлектричество и фазовый переход первого рода из сегнето- в парафазу при температуре, близкой к температуре перехода, наблюдаемой в объемном материале. Эти пленки обладают всеми свойствами сегнетоэлектрика с фазовым переходом первого рода. Они обнаруживают переключение с петлями диэлектрического гистерезиса, скачок спонтанной поляризации при температуре фазового перехода, температурный гистерезис, двойные петли гистерезиса выше температуры фазового перехода, критическую точку на диаграмме поле–температура. Кроме этого, в двумерных пленках найден новый фазовый переход, природа которого обсуждается.

PACS: 75.70.-i, 77.80.-e

Поступила: 20 июля 1999 г.

DOI: 10.3367/UFNr.0170.200003b.0247


 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2000, 43:3, 243–257

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024