Аннотация:
Дан анализ влияния параметрической связи различных частотных компонент излучения на порог вынужденного комбинационного рассеяния (ВКР) в зависимости от волновой расстройки четырёхволнового смешения и материальной дисперсии. Показано принципиальное различие влияния параметрических процессов на генерацию антистоксовых и стоксовых волн. Установлено, что наличие параметрической связи стоксовых компонент излучения приводит к сильному снижению и сближению порогов их генерации, благодаря тому, что они стартуют не со спонтанного, а с интенсивного параметрического затравочного излучения. Теоретический анализ дополняет и расширяет общепринятую картину ВКР-процессов в нелинейных кристаллах и демонстрирует хорошее соответствие новым экспериментальным данным.