Х. Амано, “Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком”, УФН, 2016, том 186, номер 5,страницы 518

Эта публикация цитируется в 1 статье

НОБЕЛЕВСКИЕ ЛЕКЦИИ ПО ФИЗИКЕ — 2014

Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком

Х. Амано

Department of Electrical Engineering and Computer Science, Venture Business Laboratory, Akasaki Research Center, Nagoya University, Japan

Аннотация: Нобелевская лекция. Стокгольм, 8 декабря 2014 г.

PACS: 42.72.Bj, 81.10.-h, 85.60.Dw

Поступила: 2 декабря 2015 г.
Одобрена в печать: 8 декабря 2014 г.

DOI: 10.3367/UFNr.2014.12.037745