Солнечные преобразователи третьего поколения на основе Cu-In-Ga-(S,Se)

Представлен обзор литературных данных по тонкоплёночным солнечным элементам с поглощающими слоями на основе четверных соединений меди типа Cu-In-Ga-(S,Se) (CIGS). Рассмотрены способы приготовления поглощающих слоёв CIGS, химический состав, особенности конструкции и принципы функционирования солнечных элементов на основе CIGS. Публикации последних лет в совокупности свидетельствуют о наметившихся изменениях в характере исследований: важные результаты были получены благодаря численному моделированию процессов в тонкоплёночных солнечных элементах, активизировались исследования роли градиентов концентрации элементов в структуре CIGS и неоднородного пространственного распределения ширины запрещённой зоны, роли границ между зёрнами слоёв, а также кинетические исследования.