А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 2019, том 189, номер 8,страницы 803

Эта публикация цитируется в 15 статьях

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Рассмотрены история и современное состояние исследований электрофизических параметров SiC. Представлены основные методы выращивания объёмных кристаллов SiC и эпитаксиальных SiC-плёнок. Дан краткий обзор используемых для послеростовой обработки эпитаксиальных SiC-структур. Показан современный уровень, достигнутый при разработке приборов на основе SiC. Проанализированы основные проблемы, существующие при разработке SiC-приборов, и перспективы создания и развития таких приборов.

PACS: 81.05.ue, 81.10.-h, 85.30.-z

Поступила: 4 сентября 2018 г.
Доработана: 1 октября 2018 г.
Одобрена в печать: 4 октября 2018 г.

DOI: 10.3367/UFNr.2018.10.038437