RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 2010, том 180, номер 2, страницы 209–217 (Mi ufn889)

Эта публикация цитируется в 16 статьях

МЕТОДИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ

Сегнетоэлектрические нанокристаллы и их переключение

В. М. Фридкинa, Р. В. Гайнутдиновa, С. Дюшармb

a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН
b Department of Physics and Astronomy, Nebraska Center for Materials and Nanoscience, University of Nebraska, Lincoln, Nebraska, USA

Аннотация: Поведение наноразмерных сегнетоэлектриков привлекло к себе большое внимание из-за возросшего интереса к фундаментальным свойствам и природе наноразмерных, спонтанно поляризованных сегнетоэлектрических структур и перспектив их практического применения в качестве электромеханических датчиков, инфракрасных фоточувствительных сред и элементов памяти. В последние годы отмечается повышенное внимание исследователей к выращиванию и изучению сегнетоэлектрических нанокристаллов. Несмотря на ограниченное количество публикаций, мы надеемся, что этот обзор окажется своевременным и полезным.

PACS: 77.55.-g, 77.80.-e, 77.84.Cg

Поступила: 14 сентября 2009 г.

DOI: 10.3367/UFNr.0180.201002f.0209


 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2010, 53:2, 199–207

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024