Plasmonic mode confinement in InAs-SiO$_2$-Si waveguide in Terahertz region

В терагерцовом диапазоне исследовано дисперсионное уравнение нового волновода полупроводник–зазор–диэлектрик. Показано, что структура InAs-SiO$_2$-Si поддерживает распространение сильно локализованной моды с размером $0,0016 \lambda\times 0,02\lambda$ на частоте $1$ THz.