Оже-переход электронов в конденсонное состояние на дислокациях в полупроводниках

Рассмотрен Оже-переход свободного электрона на заряженную краевую дислокацию в электронном полупроводнике, сопровождаемый поляризацией решетки и формированием одномерного автолокализованного состояния (конденсона). Получена зависимость вероятности захвата от степени заполнения дислокации электронами, глубины залегания дислокационного уровня и энергии поляризации решетки.