Образование одномерного электронного канала вблизи границы раздела двух квантово-размерных пленок разной толщины

Теоретически рассчитаны ограничивающий потенциал и распределение потенциала на резкой границе двух квазидвумерных систем. Показано, что на границе двух квантово-размерных пленок разной толщины и с разными уровнями легирования может образоваться квази-одномерный электронный канал. Используя структуры с двумя такими "размерными" гетеропереходами, можно получить прямоугольную потенциальную яму, содержащую квази-одномерный электронный газ (квантовая проволка).